中性子を用いたシリコン半導体の製造技術開発




シリコン半導体は、家電製品をはじめ、機械設備、通信機器、自動車等に幅広く利用され、現代社会に必要不可欠なものとなっています。

その製造には様々な方法がありますが、当協会では原子炉で発生させた中性子をシリコン単結晶に照射して半導体化する
中性子ドーピング(NTD)法を用いて高品質のシリコン半導体(NTD-Siと呼ばれます)を製造しています。

NTD-Siは抵抗値の均一性が非常に優れているため、当初は大電力用のサイリスタ等に用いられていましたが、その特性を活かして一般産業分野でも広く使われるようになりました。

また近年、低炭素社会実現に向け、電気エネルギーの有効利用への関心が高まり、電力損失低減化、高速動作化を目指したパワーデバイスの開発が盛んに行われており、高い品質を持つNTD-Siがその材料として注目されています。

当協会ではこれに対応する効率的な照射技術の開発を進めています。


  中性子ドーピング法について▼



 
 
 



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