中性子ドーピング法について



中性子ドーピング法とは?  
   シリコン単結晶内には、28Si(約92%)、29Si(約5%)、30Si(約3%)が均一に存在しています。この単結晶に原子炉で中性子を照射すると、30Siが核変換され31P(リン)が生成されます。この反応を利用して、シリコン単結晶内にリンを添加(ドープ)し、半導体を製造する方法を中性子ドーピング(*NTD)法といいます。
 
( *Neutron Transmutation Doping)  

主な特徴   
  1.  中性子は高い物質透過性を持つため、シリコン単結晶内の30Siを均一にリンにすることができるので、抵抗率分布の均一性に優れた半導体を作ることができます。   
   
  2. 中性子の照射時間により、生成させるリンの量を制御できるので、必要とされる抵抗率を精度良く得ることができます。    

当協会におけるNTDの実績と技術開発 
 当協会は、1977年に国内で初めてNTD法を用いた半導体製造を事業化しました。当初は、研究用原子炉JRR-4で照射を開始し、さらにJRR-2*、JRR-3においても事業を展開しました。現在は、JRR-3、JRR-4を用いて約4トン/年程度の生産が可能です。
 当協会は、我が国で唯一NTD法を用いた半導体製造を行っており、更に効率化を目指したNTDの技術開発に取り組んでいます。
(*1996年に運転停止)  


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